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(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123074984.2 (22)申请日 2021.12.09 (73)专利权人 合肥矽迈微电子科技有限公司 地址 230031 安徽省合肥市高新区习友路 3699号 (72)发明人 张光耀 谭小春 (51)Int.Cl. H01L 25/16(2006.01) H01L 33/48(2010.01) F21V 19/00(2006.01) F21V 23/06(2006.01) F21Y 115/10(2016.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明 专利 (54)实用新型名称 LED和IC高密度集成封装结构及LED灯带 (57)摘要 本实用新型公开了LED和IC高密度集成封装 结构及LED灯带, 包括IC芯片和LED芯片, IC芯片 和LED芯片之间电性连接; 还包括封装层, 所述IC 芯片和LED芯片通过注塑封装 方式被包封在封装 层内, 且IC芯片的无源面和LED芯片的正发光面 均朝向同一临空面。 还包括设置在封装层外壁面 上的可导电的对外端子, 对外端子和IC芯片之间 电性连接。 本实用新型的设计的LED和IC高密度 集成封装结构及LED灯带具有以下优点: 高密度 集成, 减小封装尺寸, 更轻薄, 成本更低, 可集成 多种发光单元和控制IC, 特别适用于消费者可穿 戴设备。 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 CN 216288450 U 2022.04.12 CN 216288450 U 1.LED和IC高密度集成封装结构, 包括IC芯片(1)和LED芯片(2), IC芯片(1)和LED芯片 (2)之间电性连接; 其特征在于, 还 包括封装层(9), 所述IC芯片(1)和LED芯片(2)通过注塑封装方式被包封在封装层(9)内, 且LED芯片(2) 的正发光 面朝向临 空面外露。 2.根据权利要求1所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 还包括设置在封 装层(9)外壁 面上的可导电的对外端子(8), 对外端子(8)和IC芯片(1)之间电性连接 。 3.根据权利 要求2所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述对外端子(8) 设置在LED芯片(2)的正发光 面的相对立 面。 4.根据权利 要求2所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述对外端子(8) 为板状结构, 密贴于 封装层(9)外壁 面。 5.根据权利 要求2所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述封装层(9)的 内部设置有RDL重布线组件, 且RDL重布线组件用于将IC芯片(1)内电路和IC芯片(1)封装的 对外端子(8)之间电性连接 。 6.根据权利要求5所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述IC芯片(1)和 LED芯片(2)上均电性连接有植球电极(3), 通过植球电极(3)和RDL重布线组件一端电性连 接, RDL重布线组件另一端通过第二 导电连接器(7)电性连接 于对外端子(8)。 7.根据权利 要求6所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述RDL重布线组 件包括第一RDL重布线层(4)、 第二RDL重布线层(6)、 将第一RDL重布线层(4)与第二RDL重布 线层(6)之间电性连接的第一 导电连接器(5)。 8.根据权利要求7所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述第一导电连 接器(5)为铜柱。 9.根据权利要求6所述的LED和IC高密度集成封装结构, 其特征在于, 所述第二导电连 接器(7)为铜柱。 10.LED灯带, 其特 征在于, 包括权利要求1所述的LED和IC高密度集成封装结构。 11.根据权利要求10所述的LED灯带, 其特征在于, 所述IC芯片(1)和LED芯片(2)通过分 离式单独注塑封装, 然后贴到设置有电路的灯带 上。权 利 要 求 书 1/1 页 2 CN 216288450 U 2LED和IC高密度集成封 装结构及 LED灯带 技术领域 [0001]本实用新型属于半导体封装技术领域, 尤其涉及LED和IC高密度集成封装结构及 LED灯带。 背景技术 [0002]传统LED芯片封装是打线, IC芯片也是打线, IC芯片和LED芯片全部贴在LED灯带上 之后, 再通过导电器件或者导线将IC芯片和LED芯片进行连接, 然后封上胶进行透光, 这种 工艺制作的结构, 在布设元器件时候, 会导致元器件之 间间距大, 集 成化程度低从而导致封 装体积大, 聚光 性能差。 为此, 提出LED和IC高密度集成封装结构及LED灯带。 实用新型内容 [0003]为解决上述现有技术中的问题, 本实用新型提供了LED和IC高密度集成封装结构 及LED灯带, 该实用新型高密度集成, 减小封装尺寸, 更轻薄, 成本更低, 可集成多种发光单 元和控制IC, 特别适用于消费者可穿戴设备。 [0004]为实现上述目的, 本 实用新型的LED和IC高密度集成封装结构及LED灯带的具体技 术方案如下: [0005]LED和IC高密度集成封装结构, 包括IC芯片和LED芯片, IC芯片和LED芯片之间电性 连接; [0006]还包括封装层, [0007]所述IC芯片和LED芯片通过注塑封装方式共同被包封在封装层 内, 且IC芯片的无 源面和LED芯片的正发光 面均朝向同一临 空面。 [0008]进一步, 还包括设置在封装层外壁面上的可导电的对外端子, 对外端子和IC芯片 之间电性连接 。 [0009]进一步, 所述对外端子设置在LED芯片的正发光 面的相对立 面。 [0010]进一步, 所述对外端子为板状结构, 密贴于 封装层外壁 面。 [0011]进一步, 所述封装层的内部设置有RDL重布线组件, 且RDL重布线组件用于将IC芯 片内电路和IC芯片封装的对外端子之间电性连接 。 [0012]进一步, 所述IC芯片和LED芯片上均电性连接有植球电极, 通过植球电极和RDL重 布线组件一端电性连接, RDL重布线组件另一端通过第二 导电连接器电性连接 于对外端子 。 [0013]进一步, 所述RDL重布线组件包括第一RDL重布线层、 第二RDL重布线层、 将第一RDL 重布线层与第二RDL重布线层之间电性连接的第一 导电连接器。 [0014]进一步, 所述第一 导电连接器为铜柱。 [0015]进一步, 所述第二 导电连接器为铜柱。 [0016]LED灯带, 包括上述的LED和IC高密度集成封装结构。 [0017]进一步, 所述IC芯片和LED芯片 通过分离式单独注塑封装, 然后贴到设置有电路的 灯带上。说 明 书 1/4 页 3 CN 216288450 U 3
专利 LED和IC高密度集成封装结构及LED灯带
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